Hynix y Samsung muestran sus módulos de memoria DDR4

Los primeros detalles de las futuras memorias DDR4 se liberaron hace algunos años y no se espera que estén disponibles hasta dentro de algunos años. Pero desde el evento International Solid-State Circuits Conference (ISSCC) Hynix y Samsung muestran prototipos de sus futuros módulos DDR4.

Hynix mostró unos módulos de memoria DDR4-2400, los cuales cuentan con chips de memoria fabricados con el proceso de manufactura de 38nm de Hynix, y que apenas requieren 1.2V para su correcto funcionamiento. Por su parte Samsung mostro unos módulos de memoria DDR4-2133, conformados por chips de memoria fabricados con el proceso de manufactura de 30nm de Samsung, los que funcionan con un voltaje de 1.2V.

Memorias DDR3-2133 actuales requieren voltajes de 1.65V para su correcto funcionamiento; Hynix y Samsung afirman que módulos de memoria DDR3 fabricados con el mismo proceso de manufactura descrito requerirían entre 1.3 a 1.5V, por lo que mencionan que los módulos DDR4 no sólo traerán mayores frecuencias de funcionamiento y mayores capacidades, sino también un menor consumo energético, el que se estima en 40% inferior al de las memorias DDR3.

Los módulos DDR4 iniciarán su producción en masa en algún momento del año 2013, por lo que se espera que los primeros equipos equipados con ellas estén disponibles durante el 2014; y requeriran de quizá nuevos microprocesadores y tarjetas madre, pues usarán un nuevo tipo de ranura con distinto número de pines que las de las actuales DDR3.

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DDR4 también estaría con la moda de las tres dimensiones

Micron Technology, que tienen un buen currículum cuando se trata de memorias, está hablando con la JEDEC, los tipos detrás de los estándares de todo tipo de memorias, para hacer que DDR4 tenga una nueva y jugosa característica: “Apilación en tres dimensiones”, o 3DS por su modificada sigla en inglés. No, no se refieren a la última consola de Nintendo.

Esto nos deja un poco a oscuras, porque generalmente entendemos mejor cuando nos muestran monitos o gráficas, pero este no es el caso – aunque esperamos que Micron lo haga tarde o temprano. Sólo tenemos una breve descripción de cómo va el asunto: hay un die “maestro” de DRAM que interactúa con la controladora de memoria externa, mientras que en otro die “esclavo” de DRAM no lo hace, y supuestamente es el que se lleva la mayor carga de trabajo. La tecnología de DRAM 3DS promete de todo: permitiría mejores timings, mejor frecuencia de bus, mejor integridad de señal, menor consumo, curar el cáncer, el sida, el sífilis, la cirrosis, e impedir el coma etílico. ¿Será que le pidieron prestado a Hybrid Memory Cube la tecnología de los pisos apilados encima? Por la sigla, parece que sí, pero sólo a menor escala.

Por mi parte todavía no logro entender a cabalidad cómo fuciona, pero Micron nos jura que, de salir como estándar, podríamos aprovechar mucho mejor el ancho de banda de las memorias y los tiempos muertos a la hora de leer y escribir en ellas, operaciones que se suman en millones por segundo en una computadora convencional. Aunque para eso falta mucho, y quizás HMC pruebe ser superior después de todo, DDR4 se perfilaría como el paso anterior a la tecnología que lograron junto a Samsung y que producirá orgullosamente IBM.

Dejo un video de Micron para el entendido en la materia.

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